Come Creare Un Font Di Scrittura Personalizzato

Fisica di sempre Ho discusso la mia tesi di rina c

Lo scopo di lavoro sul progetto è l'acquisto di abilità della soluzione di problemi metalmeccanici di creazione di dispositivi di semiconduttore distinti, conoscenza crescente di processi e caratteristiche strutturalmente tecnologiche di transistor di potere basso bipolar.

Strutturalmente il caso consiste di due elementi fondamentali: base e cilindro. La base include: flangia, isolatore e conclusioni. Il cilindro rappresenta una tazza con un filetto. Per transistor bipolari di potere basso i casi metalosteklyanny più adatti del KT-1 e i KT-tipi

L'elemento fondamentale di un progetto del transistor è il cristallo o la struttura di transistor di un cristallo che rappresenta un piatto di semiconduttore con le transizioni create su esso da emettitore (EP) e collezionista (KP). Altri elementi di un progetto sono il caso, un kristalloderzhatel, le conclusioni.

Come risultato di calcolo electrophysical e parametri geometrici di struttura di transistor, i parametri dello schema T-shaped equivalente del transistor devono esser determinati da corrente alternata, i suoi parametri in funzione. La parte di electrophysical e parametri geometrici all'atto di calcolo è messa provenendo da ragioni di un ordine di nomenclatura. Alla fine di calcolo il tipo di caso di transistor esce.

Compito: definire la barriera (zaryadna di capacità e dimensioni di una superficie di transizioni di emettitore e di collezionista, e anche dimensioni geometriche di un piatto di semiconduttore in cui la struttura di transistor è formata.

Il caso KT-1, metalglass, pressurizzato da saldatura di electrocontact. La flangia della base rappresenta la tazza in metallo piena di vetro (l'isolatore) attraverso quale il passaggio le conclusioni che hanno un filetto per sigillare da saldatura di electrocontact. Il caso ha il caso una conclusione che è saldata su un fondo di flangia. Il cilindro del caso rappresenta il cilindro cavo con un fondo che è messo sul diametro esterno di una tazza di una flangia.

Come risultato ci devono essere tutti i parametri geometrici ed electrophysical necessari per esecuzione di progetto e parte principale di documentazione tecnologica. Particolarmente riguarda la struttura di diffuzant, piatti di cardine e leghe per saldatura.

Questo caso ha trovato l'applicazione ampia all'estero quanto a potere basso e potere medio (a 5 W) i transistor, e per schemi integrati. Una mancanza di KT-1 e casi KT-2 è la possibilità di emissione del gas nel volume interno del caso sigillando. È una mancanza di tutti i casi goryachesvarochny, ma è vinto da applicazione di protezione di strutture navigabili e splavnodiffuzionny le varie vernici, i composti, zeolite.

La possibilità d'installazione nel caso di struttura planare o navigabile e diffusiva è mostrata quando il cristallo napaivatsya dall'elettrodo di collezionista direttamente su una flangia di base. Così il cristallo può avere le dimensioni massime di 3,5 x 3,5 mm.

Il caso KT-2, (A - 5 - la designazione straniera, metalglass, pressurizzato da saldatura di electrocontact, è simile sul progetto al caso KT-1 e ha solo alcune dimensioni grandi. Il suo progetto possiede la stessa affidabilità, differisce nella stessa semplicità e l'efficacia tecnologica di un progetto, così come il caso KT-V questo caso è possibile montare tutti i tipi esistenti di transizioni di transistor di potere basso, e anche transistor di silicio di potere medio (a 5vt) a condizione di uso del lavandino di calore supplementare.

Le frequenze di confine di coefficiente di trasferimento di corrente di f = 90 MEGAHERTZ, f calcolati valutano = 103,73 MEGAHERTZ. Durante l'operazione del transistor bipolare a una frequenza a f il coefficiente di trasferimento di corrente nello schema con circa soddisfarà a un valore programmato.